55IPT012N08N5ATMA1

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 80V; 279A; Idm: 1200A; 375W

* Producent:INFINEON TECHNOLOGIES * Montaż:SMD * Obudowa:PG-HSOF-8 * Napięcie dren-źródło:80V * Prąd drenu:279A * Rezystancja w stanie przewodzenia:1,2mΩ * Typ tranzystora:N-MOSFET * Moc rozpraszana:375W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Ładunek bramki:178nC * Technologia:OptiMOS™ 5 * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±20V * Prąd drenu w impulsie:1,2kA