55QS6K1TR

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 1A; Idm: 4A; 1,25W; TSMT6

* Producent:ROHM SEMICONDUCTOR * Montaż:SMD * Obudowa:TSMT6 * Napięcie dren-źródło:30V * Prąd drenu:1A * Rezystancja w stanie przewodzenia:364mΩ * Typ tranzystora:N-MOSFET x2 * Moc rozpraszana:1,25W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Wersja:ESD * Ładunek bramki:1,7nC * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±12V * Prąd drenu w impulsie:4A