STGB10M65DF2 Trench gate field-stop 650 V, 10 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
STMicroelectronics
RSS
2.59 USD10.52 PLN
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- STGB10M65DF2
- Producent:
- STMicroelectronics
- Obudowa:
- TO-263
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- +0.39% (19.03.2026)
- Poprzednia cena:
- 2.58 USD
| Ilość [ x szt]: | 10+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|
| Cena USD [za szt]: | 1.68 | 1.15 | 0.92 |
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field‑stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics