STGB30M65DF2 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
STMicroelectronics
RSS
3.41 USD13.85 PLN
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- STGB30M65DF2
- Producent:
- STMicroelectronics
- Obudowa:
- TO-263
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- +2.1% (22.06.2026)
- Poprzednia cena:
- 3.34 USD
| Ilość [ x szt]: | 10+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|
| Cena USD [za szt]: | 2.23 | 1.55 | 1.26 |
Sugerowane produkty dla stgb30m65df2
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field‑stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics