nus5530mn (15) » Integrated Dual P-Channel MOSFET with PNP Switching Transistor DFN-8 » Parametry i zamienniki | elecena.pl

Szukaj produktów » Parametry dla nus5530mn (tranzystor FET-P):

Opis:	Integrated Dual P-Channel MOSFET with PNP Switching Transistor DFN-8
Napięcie:	20V
Prąd:	3.9A
Moc:	1.3W
Pojemność bramka-źródło:	710pF
Więcej:	http://www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do?id=NUS5530MN

Zamienniki dla nus5530mn:

2.56
Zamienniki »
tpcf8305

Napięcie:
20V

Prąd:
4A

Moc:
1.35W

Pojemność bramka-źródło:
680pF

Ładunek bramki:
9.2nC

Obudowa:
VS-8

Podobieństwo:
90%
1.82
Zamienniki »
fdc642p_f085

Napięcie:
20V

Prąd:
4A

Moc:
1.2W

Pojemność bramka-źródło:
700pF

Ładunek bramki:
6.9nC

Podobieństwo:
89%
Zamienniki »
tpcp8306

Napięcie:
20V

Prąd:
4A

Moc:
1.48W

Pojemność bramka-źródło:
680pF

Ładunek bramki:
9.2nC

Obudowa:
PS-8

Podobieństwo:
80%
2.21
Zamienniki »
si5513cdc

Napięcie:
20V

Prąd:
4A

Obudowa:
8-SMD

Podobieństwo:
78%
3.30
Zamienniki »
si5515cdc

Napięcie:
20V

Prąd:
4A

Obudowa:
8-SMD

Podobieństwo:
78%
1.80
Zamienniki »
dmg3415u

Napięcie:
20V

Prąd:
4A

Obudowa:
TO-236-3

Podobieństwo:
78%
1.34
Zamienniki »
ap2305gn

Napięcie:
20V

Prąd:
4.2A

Moc:
1.38W

Podobieństwo:
78%
1.74
Zamienniki »
si5935cdc

Napięcie:
20V

Prąd:
4A

Obudowa:
CHIPFET

Podobieństwo:
78%
2.67
Zamienniki »
si9933cdy

Napięcie:
20V

Prąd:
4A

Obudowa:
8-SOIC

Podobieństwo:
78%
2.94
Zamienniki »
csd25202w15

Napięcie:
20V

Prąd:
4A

Obudowa:
9-UFBGA

Podobieństwo:
78%
2.71
Zamienniki »
ntljd3119ctbg

Napięcie:
20V

Prąd:
3.8A

Podobieństwo:
78%
1.12
Zamienniki »
dmg2305ux-13

Napięcie:
20V

Prąd:
4.2A

Moc:
1.4W

Podobieństwo:
77%
3.53
Zamienniki »
si9433bdy-t1-ge3

Napięcie:
20V

Prąd:
4.5A

Moc:
1.3W

Podobieństwo:
76%
1.88
Zamienniki »
si5933cdc

Napięcie:
20V

Prąd:
3.7A

Obudowa:
8-SMD

Podobieństwo:
75%
0.96
Zamienniki »
dmp2305u

Napięcie:
20V

Prąd:
4.2A

Obudowa:
TO-236-3

Podobieństwo:
73%