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IAC-R6

Idec IAC-R6 Odbłyśnik 35,3 ,34,3 mm IAC-R6 1 szt.

Producent:: Idec
Rozmiar:: 2563 kB
Stron:: 18

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IACN04G1N33X054

40 V、N沟道、5.4 mΩ（最大值）、汽车MOSFET、S3O8

Producent:: Infineon
Rozmiar:: 1262 kB
Stron:: 12

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IACN04G1N33X084

40 V、N沟道、最大8.4 mΩ、汽车MOSFET、S3O8

Producent:: Infineon
Rozmiar:: 1258 kB
Stron:: 12

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IACN04G1L33X074

40 V、N沟道、最大7.4 mΩ、汽车MOSFET、S3O8

Producent:: Infineon
Rozmiar:: 1253 kB
Stron:: 12

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IACN04G2L56X032

40 V、N 通道、最大 3.2 mΩ、汽车 MOSFET、SSO8 (5x6) 推出适用于坚固汽车应用的 5x6mm² SSO8 无引线封装的 40V MOS 技术。该产品组合包含 16 种产品（最大 RDS(on) 从 0.8mΩ 至 4.4mΩ），非常适合低功率和高功率需求。该封装提供一流的 FOM（RDS(on) x Qg）和 120A 连续电流额定值，比标准 DPAK 高出 25% 以上，同时还具有卓越的开关性能和 EMI 行为（与传统封装相比电感降低约 4 倍）。

Producent:: Infineon
Rozmiar:: 1241 kB
Stron:: 12

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IACN04G2N56X036

40 V、N 通道、最大 3.6 mΩ、汽车 MOSFET、SSO8 (5x6) 推出适用于坚固汽车应用的 5x6mm² SSO8 无引线封装的 40V MOS 技术。该产品组合包含 16 种产品（最大 RDS(on) 从 0.8mΩ 至 4.4mΩ），非常适合低功率和高功率需求。该封装提供一流的 FOM（RDS(on) x Qg）和 120A 连续电流额定值，比标准 DPAK 高出 25% 以上，同时还具有卓越的开关性能和 EMI 行为（与传统封装相比电感降低约 4 倍）。

Producent:: Infineon
Rozmiar:: 1240 kB
Stron:: 12

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IACN04G1N56X046

40 V、N 通道、4.6 mΩ（最大值）、汽车 MOSFET、SSO8（5x6）

Producent:: Infineon
Rozmiar:: 1238 kB
Stron:: 12

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IACN04G2L56X039

40 V、N 通道、3.9 mΩ（最大值）、汽车 MOSFET、SSO8（5x6 推出适用于坚固汽车应用的 5x6mm² SSO8 无引线封装的40V MOS 技术。该产品组合包含 16 种产品（最大 RDS(on) 从 0.8mΩ 至 4.4mΩ），非常适合低功率和高功率需求。该封装提供一流的 FOM（RDS(on) x Qg）和 120A 连续电流额定值，比标准 DPAK 高出 25% 以上，同时还具有卓越的开关性能和 EMI 行为（与传统封装相比电感降低约 4 倍）。