elecena.pl

  1. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    29LV400D

    Pamięć równoległa Flash MX29LV400CBMC-90G, 3.0V, 4Mb, Bottom Sector, SO44
    Producent:
    Maritex
    Rozmiar:
    3333 kB
    Stron:
    1
  2. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    29LV800BB120SI

    Pamięć równoległa Flash AM29LV800BB-120SI, 3.0V, 8Mb, Bottom Sector, SO44
    Producent:
    Maritex
    Rozmiar:
    1707 kB
    Stron:
    1
  3. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    EN39LV010

    Pamięć równoległa Flash, 3.0V, , 4KB Uniform Sector, PLCC32, odpowiednik dla 29F010D
    Producent:
    Maritex
    Rozmiar:
    1378 kB
    Stron:
    1
  4. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    S79FS01GSFABHB213

    * x8 interface * MIRRORBIT™ technology * Execute in Place (XiP) * Error Checking and Correction (ECC) * Advanced Sector Protection (ASP) * Twenty-year data retention * 100 k cycles endurance
    Producent:
    Infineon
    Rozmiar:
    1363 kB
    Stron:
    169
  5. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    EN29LV800CB

    Pamięć równoległa Flash, 3.0V, , Bottom Sector, TSOP48
    Producent:
    Maritex
    Rozmiar:
    1252 kB
    Stron:
    1
  6. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    29LV400BB

    Pamięć równoległa Flash AM29LV400BB-120SI, 3.0V, 4Mb, Bottom Sector, SO44
    Producent:
    Maritex
    Rozmiar:
    1124 kB
    Stron:
    1
  7. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    ISG0613N04NM6H

    OptiMOS™ 5 dual N-channel 60 V MOSFETs in scalable power block Dual N-channel MOSFETs in PQFN 6.3x6.0 features very low RDS(on) of 0.88 mΩ each with Q1/Q2 in a half-bridge configuration. This can replace two discrete Q1/Q2 MOSFETs ex: PQFN 5x6 and shrink the power section on the board by at least 50%. The low parasitic inductance of the package improves switching performance & EMI while reducing overall BOM cost. The optimized lead-frame & Cu-clip significantly improves the package thermal performa
    Producent:
    Infineon
    Rozmiar:
    1048 kB
    Stron:
    11
  8. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    ISG0614N06NM5H

    OptiMOS™ 5 dual N-channel 60 V MOSFETs in scalable power block Dual N-channel MOSFETs in PQFN 6.3x6.0 features low RDS(on) of 1.6 mΩ each with Q1/Q2 in a half-bridge configuration. This can replace two discrete Q1/Q2 MOSFETs ex: PQFN 5x6 and shrink the power section on the board by at least 50%. The low parasitic inductance of the package improves switching performance & EMI while reducing overall BOM cost. The optimized lead-frame & Cu-clip significantly improves the package thermal performance.
    Producent:
    Infineon
    Rozmiar:
    1046 kB
    Stron:
    11
  9. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    ISG0616N10NM5HSC

    ISG0616N10NM5HSC is a half-bridge dual N-channel MOSFET with 4.0 mΩ RDS(on) for drives and telecom Dual N-channel MOSFETs in PQFN 6.3x6.0 features low RDS(on) of 4.0 mΩ each with Q1/Q2 in a half-bridge configuration. This can replace two discrete Q1/Q2 MOSFETs ex: PQFN 5x6 and shrink the power section on the board by at least 50%. The low parasitic inductance of the package improves switching performance & EMI while reducing overall BOM cost. The dual-side cooling capability boosts power throughput by
    Producent:
    Infineon
    Rozmiar:
    1030 kB
    Stron:
    11
  10. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    ISG0613N04NM6HSC

    OptiMOS™ 5 dual N-channel 40 V MOSFETs in scalable power block with dual-side cooling capability Dual N-channel MOSFETs in PQFN 6.3x6.0 features low RDS(on) of 0.88 mΩ each with Q1/Q2 in a half-bridge configuration. This can replace two discrete Q1/Q2 MOSFETs ex: PQFN 5x6 and shrink the power section on the board by at least 50%. The low parasitic inductance of the package improves switching performance & EMI while reducing overall BOM cost. The dual-side cooling capability boosts power throughput by a
    Producent:
    Infineon
    Rozmiar:
    1019 kB
    Stron:
    11
  11. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    ISG0614N06NM5HSC

    OptiMOS™ 5 dual N-channel 60 V MOSFETs in scalable power block with dual-side cooling capability Dual N-channel MOSFETs in PQFN 6.3x6.0 features low RDS(on) of 1.6 mΩ each with Q1/Q2 in a half-bridge configuration. This can replace two discrete Q1/Q2 MOSFETs ex: PQFN 5x6 and shrink the power section on the board by at least 50%. The low parasitic inductance of the package improves switching performance & EMI while reducing overall BOM cost. The dual-side cooling capability boosts power throughput by a
    Producent:
    Infineon
    Rozmiar:
    1018 kB
    Stron:
    11
  12. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    29F400D

    Pamięć równoległa Flash, 5.0V, 4Mb, Bottom Sector, SO44,
    Producent:
    Maritex
    Rozmiar:
    857 kB
    Stron:
    1
  13. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    EN29LV640AT

    Pamięć równoległa Flash, 3.0V, , Top Sector, TSOP48, zastępuje pamięć EN29LV640T
    Producent:
    Maritex
    Rozmiar:
    544 kB
    Stron:
    1
  14. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    EN29LV640B

    Pamięć równoległa Flash, 3.0V, , Bottom Sector, TSOP48
    Producent:
    Maritex
    Rozmiar:
    511 kB
    Stron:
    1
  15. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    EN29LV400AB

    Pamięć równoległa Flash, 3.0V, , Bottom Sector, TSOP48
    Producent:
    Maritex
    Rozmiar:
    422 kB
    Stron:
    1
  16. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    MC74HC367A

    Hex 3-State NonInverting Buffer with Separate 2-Bit and 4-Bit Sections
    Producent:
    onsemi
    Rozmiar:
    420 kB
    Stron:
    9
  17. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    EN29LV320BB

    Pamięć równoległa Flash, 3.0V, , Bottom Sector, TSOP48
    Producent:
    Maritex
    Rozmiar:
    399 kB
    Stron:
    1
  18. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    EN29LV160BB

    Pamięć równoległa Flash, 3.0V, , Bottom Sector, TSOP48
    Producent:
    Maritex
    Rozmiar:
    358 kB
    Stron:
    1
  19. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    MC74HC390A

    Dual 4-Stage Binary Ripple Counter with ÷2 and ÷5 Sections
    Producent:
    onsemi
    Rozmiar:
    309 kB
    Stron:
    13
  20. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    MAX8890

    Integrated Cellular RF-Section Power-Management IC
    Producent:
    Analog Devices
    Rozmiar:
    234 kB
    Stron:
    12
  21. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    PW70F-1700Z04-256.005

    PW70 500 ohm + 500 Ohm Precision Potentiometer PW70-ÖF with oilfilling, with metal cap winding angle 204° stops 0° - 19°: short circuit section 19° -101,2°: 500 ohm +/- 1% /82,2° 101,2°-120,8°: shorted & tapped 120,8°-203°: 500 Ohm +/- 1% /82,2° 203°-204°: shorted shaft 6 mm O 13,5mm long from support sense of rotation: right (view from shaftside) torque: max. 100 cmp with sintered bearing tariff # 85 33 31 00
    Producent:
    Meditronik
    Rozmiar:
    185 kB
    Stron:
    1
  22. Podgląd PDFa
    Do dokumentacji »

    RAMK027 S

    Rotational Absolute Magnetic Kit Encoder Version 27 mm Sector Displacement Sensor
    Producent:
    Vishay
    Rozmiar:
    146 kB
    Stron:
    5