MOSFET Typ P-kanałowy -2.9 A DFN -20 V Rozszerzenie 4-pinowy Powierzchnia 8.33 W Nexperia 950 mΩ PMXB75UPEZ

RS Components

Zgodny z RoHS

MPN:: PMXB75UPEZ
Kod:: 1531936
Minimalne zamówienie:: 50 szt.
Producent:: Nexperia
Obudowa:: SOT1215
Dodany do bazy:: 17.11.2017
Ostatnio widziany:: 23.01.2026
Zmiana ceny:: +24% (20.01.2026)
Poprzednia cena:: 1.00

Ilość [ x szt]:	250+	1250+	2500+	3750+
Cena PLN [za szt]:	0.56	0.44	0.43	0.42

20 V, P-channel Trench MOSFET

Sugerowane produkty dla pmxb75

Układ MOSFET 20 V z kanałem P w technologii Trench. Tranzystor polowy (FET) z kanałem P z trybem wzmocnienia w bardzo małej obudowie DFN1010D-3 (SOT1215) bez wyprowadzeń do montażu powierzchniowego (SMD), wykonany w technologii Trench MOSFET.

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu RS Components