STGW8M120DF3 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
STMicroelectronics
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- STGW8M120DF3
- Producent:
- STMicroelectronics
- Obudowa:
- TO-247
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- +2.11% (05.07.2025)
- Poprzednia cena:
- 3.80 USD
| Ilość [ x szt]: | 10+ | 100+ |
|---|---|---|
| Cena USD [za szt]: | 1.92 | 1.76 |
Sugerowane produkty dla stgw8m120df3
These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The devices are part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics