STPSC8H065G2Y-TR Automotive 650 V, 8 A Silicon Carbide Diode
STMicroelectronics
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- STPSC8H065G2Y-TR
- Producent:
- STMicroelectronics
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- -9% (07.07.2025)
- Poprzednia cena:
- 4.16 USD
| Ilość [ x szt]: | 10+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|
| Cena USD [za szt]: | 2.53 | 1.85 | 1.51 |
Sugerowane produkty dla stpsc8h065g2y
The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
Especially suited for use in PFC applications, the SiC diode will boost performance in hard switching conditions.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics