SCTH90N65G2V-7 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
STMicroelectronics
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- SCTH90N65G2V-7
- Producent:
- STMicroelectronics
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- -0.1% (30.05.2024)
- Poprzednia cena:
- 29.63 USD
| Ilość [ x szt]: | 10+ | 25+ | 50+ | 100+ | 250+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Cena USD [za szt]: | 26.76 | 26.37 | 22.11 | 21.20 | 20.69 | 20.38 |
Sugerowane produkty dla scth90n65g2v
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics