SCTW35N65G2V Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247 package
STMicroelectronics
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- SCTW35N65G2V
- Producent:
- STMicroelectronics
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- +27% (27.11.2025)
- Poprzednia cena:
- 11.20 USD
| Ilość [ x szt]: | 10+ | 100+ |
|---|---|---|
| Cena USD [za szt]: | 10.63 | 9.19 |
Sugerowane produkty dla sctw35n65g2v
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics