elecena.pl

SCTWA90N65G2V-4 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics

SCTWA90N65G2V-4 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package RSS 28.54 28.54 USD115.95 PLN
  • Sklep zagraniczny
MPN:
SCTWA90N65G2V-4
Producent:
STMicroelectronics
Waluta:
dolar amerykański
Dodany do bazy:
Ostatnio widziany:
Zmiana ceny:
+0.81% (24.02.2026)
Poprzednia cena:
28.31 USD
Ilość [ x szt]: 10+ 100+
Cena USD [za szt]: 21.57 20.65

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu