SCTH40N120G2V-7 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an H2PAK-7 package
STMicroelectronics
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- SCTH40N120G2V-7
- Producent:
- STMicroelectronics
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- -0.06% (10.07.2025)
- Poprzednia cena:
- 16.25 USD
| Ilość [ x szt]: | 10+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|
| Cena USD [za szt]: | 11.70 | 10.74 | 10.71 |
Sugerowane produkty dla scth40n120g2v
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics