SCTWA70N120G2V-4 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
STMicroelectronics
RSS
31.63 USD128.51 PLN
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- SCTWA70N120G2V-4
- Producent:
- STMicroelectronics
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- +9% (06.03.2026)
- Poprzednia cena:
- 28.92 USD
| Ilość [ x szt]: | 10+ |
|---|---|
| Cena USD [za szt]: | 23.19 |
Sugerowane produkty dla sctwa70n120g2v
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics