SCTWA70N120G2V-4 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
STMicroelectronics
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- SCTWA70N120G2V-4
- Producent:
- STMicroelectronics
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- -3.66% (02.12.2025)
- Poprzednia cena:
- 30.57 USD
| Ilość [ x szt]: | 10+ | 100+ |
|---|---|---|
| Cena USD [za szt]: | 20.73 | 20.29 |
Sugerowane produkty dla sctwa70n120g2v
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics