STPSC10065G2-TR 650 V power Schottky silicon carbide diode
STMicroelectronics
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- STPSC10065G2-TR
- Producent:
- STMicroelectronics
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- -3.1% (10.07.2025)
- Poprzednia cena:
- 3.87 USD
| Ilość [ x szt]: | 10+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|
| Cena USD [za szt]: | 2.46 | 1.74 | 1.57 |
Sugerowane produkty dla stpsc10065g2
This 10 A, 650 V SiC diode is an ultra high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
Housed in D²PAK HV, this diode is perfectly suited for a usage in PFC applications, in charging station, DC/DC, easing the compliance to IEC-60664-1.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics