STB12N60DM2AG Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
STMicroelectronics
RSS
3.31 USD13.45 PLN
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- STB12N60DM2AG
- Producent:
- STMicroelectronics
- Obudowa:
- TO-263
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- +0.3% (06.03.2026)
- Poprzednia cena:
- 3.30 USD
| Ilość [ x szt]: | 10+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|
| Cena USD [za szt]: | 2.16 | 1.66 | 1.38 |
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics