ZXMHC10A07N8TC

Tranzystor: N/P-MOSFET x2; unipolarny; komplementarne; 100/-100V

* Producent:DIODES INCORPORATED * Montaż:SMD * Rodzaj opakowania:taśma * Polaryzacja:unipolarny * Obudowa:SO8 * Typ tranzystora:N/P-MOSFET x2 * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±20V * Napięcie dren-źródło:100/-100V * Struktura półprzewodnika:wspólne źródło * Prąd drenu:0,9/-0,7A * Rezystancja w stanie przewodzenia:0,9/1,45? * Moc rozpraszana:0,87W * Właściwości elementów półprzewodnikowych:MOSFET H-Bridge * Cena jednostkowa:Nie * Rodzaj opakowania:rolka