55SIS413DN-T1-GE3
SŁAWMIR Electronics
- Kod:
- 3843291
- Producent:
- VISHAY
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- +9% (27.10.2025)
- Poprzednia cena:
- 5.10
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -30V; -18A; Idm: -70A
* Producent:VISHAY * Montaż:SMD * Obudowa:PowerPAK® 1212-8 * Napięcie dren-źródło:-30V * Prąd drenu:-18A * Rezystancja w stanie przewodzenia:13,2m? * Typ tranzystora:P-MOSFET * Moc rozpraszana:33W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Ładunek bramki:110nC * Technologia:TrenchFET® * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±20V * Prąd drenu w impulsie:-70A
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu SŁAWMIR Electronics