55SISH625DN-T1-GE3
SŁAWMIR Electronics
- Kod:
- 3843293
- Producent:
- VISHAY
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- -0.34% (21.11.2025)
- Poprzednia cena:
- 5.84
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -30V; -35A; Idm: -80A
* Producent:VISHAY * Montaż:SMD * Obudowa:PowerPAK® 1212-8 * Napięcie dren-źródło:-30V * Prąd drenu:-35A * Rezystancja w stanie przewodzenia:11m? * Typ tranzystora:P-MOSFET * Moc rozpraszana:33W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Ładunek bramki:126nC * Technologia:TrenchFET® * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±20V * Prąd drenu w impulsie:-80A
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu SŁAWMIR Electronics