55IXFN150N65X2

Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 145A; SOT227B; Ugs: ±30V; 1040W

* Producent:IXYS * Obudowa:SOT227B * Polaryzacja:unipolarny * Rezystancja w stanie przewodzenia:17m? * Montaż mechaniczny:przykręcany * Napięcie dren-źródło:650V * Prąd drenu:145A * Rodzaj kanału:wzbogacany * Typ modułu:tranzystorowy MOSFET * Napięcie bramka-źródło:±30V * Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor * Montaż elektryczny:przykręcany * Technologia:HiPerFET™ * Ładunek bramki:355nC * Czas gotowości:190ns * Prąd drenu w impulsie:300A * Moc rozpraszana:1040W * #Akcje #promocyjne:aac202202 * Cena jednostkowa:Nie * #Akcje #promocyjne:ixys202106 * Moc rozpraszana:1,04kW