Full SiC MOSFET Module | EliteSiC Two Channel Full SiC Boost, 1200 V, 80 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 20 A SiC Diode
onsemi
Przejdź do sklepu »
- Darmowa próbka
- MPN:
- NXH80B120MNQ0
- Producent:
- onsemi
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
Sugerowane produkty dla nxh80b120mnq0
The NXH80B120MNQ0 is a EliteSiC power integrated module (PIM) containing a dual full SiC boost stage consisting of two 80mohm/1200V SiC MOSFETs and two 20A/1200V SiC diodes. Two additional 30A/1600V bypass rectifiers used for inrush current limit are included. An on-board thermistor is included.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu onsemi