Dual N-channel TrechMOS extremely low level FET
Nexperia
Przejdź do sklepu »
- Darmowa próbka
- MPN:
- PMGD370XN
- Producent:
- Nexperia
- Obudowa:
- SOT23-6
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
Dual extremely low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu Nexperia