40 V, 8.0 mOhm bi-directional Gallium Nitride (GaN) FET in a 1.7 mm x 1.7 mm Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP)
Nexperia
Przejdź do sklepu »
- Darmowa próbka
- MPN:
- GANB8R0-040CBA
- Producent:
- Nexperia
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
Sugerowane produkty dla ganb8r0
The GANB8R0-040CBA is a 40 V, 8.0 mΩ bi-directional Gallium Nitride (GaN) High Electron-Mobility-Transistor (HEMT) in a Wafer Level Chip-Scale (WLCSP) package. It is a normally-off e-mode device offering superior performance.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu Nexperia