650 V, 97 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package
Nexperia
Przejdź do sklepu »
- Darmowa próbka
- MPN:
- GAN111-650WSB
- Producent:
- Nexperia
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
Sugerowane produkty dla gan111
The GAN111-650WSB is a 650 V, 97 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package. It is a normally-off device that combines Nexperia’s latest high-voltage GaN HEMT H2 technology and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering superior reliability and performance.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu Nexperia