55MSC031SMC120B4N

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 51A; Idm: 161A; 362W

* Producent:MICROCHIP TECHNOLOGY * Montaż:THT * Obudowa:TO247-4-notch * Napięcie dren-źródło:1,2kV * Prąd drenu:51A * Rezystancja w stanie przewodzenia:42mΩ * Typ tranzystora:N-MOSFET * Moc rozpraszana:362W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:tuba * Właściwości elementów półprzewodnikowych:wyprowadzenie Kelvina * Ładunek bramki:70nC * Technologia:SiC * Rodzaj kanału:wzbogacany * Rodzina:SMC * Prąd drenu w impulsie:161A