IXFN60N80P Tranzystor Moduł tranzystorowy MOSFET

Producent: IXYS Technologia: Si Styl mocowania: Screw Mount Opakowanie/obudowa: SOT-227-4 Polaryzacja tranzystora: N-Channel Liczba kanałów: 1 Channel Vds – Napięcie przebicia dren–źródło: 800 V Id – Ciągły prąd drenu: 53 A Rds On – rezystancja dren–źródło: 140 mOhms Vgs – Napięcie bramka–źródło: - 30 V, + 30 V Minimalna temperatura robocza: - 55 C Maksymalna temperatura robocza: + 150 C Pd – strata mocy: 1.04 mW Seria: IXFN60N80 Konfiguracja: Single Czas zanikania: 26 ns Wysokość: 9.6 mm Długość: 38.23 mm Szerokość: 25.42 mm Rodzaj produktu: MOSFET Modules Czas narastania: 29 ns Rodzaj: HiperFET Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 110 ns Typowy czas opóźnienia włączenia: 36 ns Jednostka masy: 30 g

Cena za 1 sztukę