2SC5129 - tranzystor bipolarny NPN, 600 V, 10 A, 50 W, 2-16E3A

Tranzystor bipolarny 2SC5129 typu NPN w obudowie 2-16E3A

Element typu NPN o napięciu kolektor-emiter 600 V i prądzie kolektora 10 A. Tranzystor bipolarny steruje się prądem bazy, a nie napięciem — to odróżnia go od tranzystora unipolarnego i decyduje o sposobie projektowania obwodu wejściowego.

Moc strat 50 W odnosi się do pracy z radiatorem utrzymującym obudowę w temperaturze odniesienia. Bez odprowadzenia ciepła rzeczywista dopuszczalna moc jest wielokrotnie niższa, dlatego dobór radiatora jest częścią projektu, a nie dodatkiem.

Specyfikacja techniczna

* typ: tranzystor bipolarny

* polaryzacja: NPN

* napięcie kolektor-emiter: 600 V

* prąd kolektora: 10 A

* moc strat: 50 W

* wzmocnienie prądowe hFE: 10-30

* częstotliwość graniczna: 1,7MHz

* obudowa: 2-16E3A

* montaż: przewlekany