Tranzystor BUZ307 N-MOSFET

Tranzystor MOSFET BUZ307 N-CHANNEL 800V 3A 75W TO-218Symbol: 11749Wysokonapięciowy tranzystor mocy z kanałem typu N, przeznaczony do zastosowań w układach elektronicznych wymagających sprawnego przełączania i sterowania przepływem prądu.Element wykonany w technologii SIPMOS charakteryzuje się wysoką wytrzymałością napięciową do 800 V oraz maksymalnym ciągłym prądem drenu 3 A. Dzięki obudowie TO-218 tranzystor umożliwia montaż na radiatorze, zapewniając skuteczne odprowadzanie ciepła podczas pracy.BUZ307 znajduje zastosowanie między innymi w zasilaczach impulsowych, przetwornicach napięcia, układach sterowania oraz podczas napraw i konserwacji urządzeń elektronicznych.Najważniejsze cechy

* Wysokie napięcie pracy do 800 V – przeznaczony do układów wysokonapięciowych. * Prąd drenu do 3 A – umożliwia sterowanie obciążeniami elektrycznymi. * Technologia MOSFET N-Channel – umożliwia elektroniczne przełączanie prądu. * Moc strat do 75 W – przy zapewnieniu odpowiednich warunków chłodzenia. * Technologia SIPMOS – tranzystor polowy przeznaczony do zastosowań mocy. * Odporność na zjawisko lawinowe (Avalanche Rated) – zwiększona wytrzymałość na określone impulsy przepięciowe. * Obudowa TO-218 – umożliwia montaż na radiatorze. * Uniwersalne zastosowanie – do budowy, serwisowania i naprawy układów elektronicznych. Specyfikacja

* Model: BUZ307 * Rodzaj elementu: tranzystor MOSFET mocy * Typ kanału: N-Channel * Tryb pracy: wzbogacany (Enhancement Mode) * Technologia: SIPMOS * Maksymalne napięcie dren–źródło (VDS): 800 V * Maksymalny ciągły prąd drenu (ID): 3 A (przy temperaturze obudowy 35°C) * Maksymalny impulsowy prąd drenu: 12 A * Maksymalna moc strat (Ptot): 75 W (przy temperaturze obudowy 25°C) * Rezystancja dren–źródło RDS(on): maks. 3 Ω * Napięcie progowe bramki VGS(th): 2,1–4 V * Maksymalne napięcie bramka–źródło VGS: ±20 V * Obudowa: TO-218 AA * Liczba wyprowadzeń: 3 * Wyprowadzenia: G (bramka), D (dren), S (źródło) * Montaż: przewlekany (THT) Zastosowanie

* Zasilacze impulsowe i układy zasilania. * Przetwornice napięcia DC/DC. * Układy przełączające wysokiego napięcia. * Elektroniczne układy sterowania mocą. * Urządzenia automatyki przemysłowej. * Naprawa i serwis urządzeń elektronicznych. * Projekty elektroniczne wymagające tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia. Cena dotyczy 1 szt.