TRANZYSTOR IRFPC50 N-MOSFET 11A 600V TO247

AET

Tranzystor N-MOSFET

Maksymalny prąd drenu (napięcie bramka-źródło 10V, temperatura obudowy 25°C): 11A

Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V

Maksymalne napięcie bramka-źródło: ±20V

Napięcie progowe bramka-źródło: 2V - 4V

Rezystancja otwartego kanału dren-źródło (napięcie bramka-źródło 10V, prąd drenu 6A): 0.6 Ohm

Typ obudowy: TO-247AC

Moc rozpraszana (temperatura obudowy 25°C): 180W

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu AET