UKŁ.SCAL. SMD IRF7306 SO8

AET

2 x tranzystor MOSFET typu P

Maksymalne napięcie bramka-źródło: ±20V

Rezystancja otwartego kanału: 0.1Ohm

Napięcie progowe: 1V

Napięcie przebicia dren-źródło: 30V

Temperatura robocza: -55°C do +155°C

Obudowa: SO8

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu AET