elecena.pl

218 2.40 PLN 4196.03 PLN
  1. IGBT Ic 50 A Uce 600 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 230 W 24.95 x25
    Do sklepu »

    IGBT Ic 50 A Uce 600 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 230 W

    Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to ...
    • Zgodny z RoHS
    Sklep:
    RS Components
    Producent:
    TOSHIBA
    MPN:
    GT50JR21
    Dodany:
    Zmiana ceny:
    +9%
    Min. zamówienie:
    25 szt.
  2. IGBT Ic 50 A Uce 600 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 230 W 24.95 x25
    Do sklepu »

    IGBT Ic 50 A Uce 600 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 230 W

    Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to ...
    • Zgodny z RoHS
    Sklep:
    RS Components
    Producent:
    TOSHIBA
    MPN:
    GT50JR22
    Dodany:
    Zmiana ceny:
    +9%
    Min. zamówienie:
    25 szt.
  3. Ceny od 25 zł
  4. STMicroelectronics IGBT STGW40H60DLFB Ic 40 A Uce 600 V TO-247 kanał: Typ N 283 W 3-pinowy Otwór przelotowy 25.57 x2
    Do sklepu »

    STMicroelectronics IGBT STGW40H60DLFB Ic 40 A Uce 600 V TO-247 kanał: Typ N 283 W 3-pinowy Otwór przelotowy

    Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to ...
    • Zgodny z RoHS
    Sklep:
    RS Components
    Producent:
    STMicroelectronics
    MPN:
    STGW40H60DLFB
    Dodany:
    Zmiana ceny:
    +7%
    Min. zamówienie:
    2 szt.
    10+ szt.:
    24.05
    20+ szt.:
    22.75
    50+ szt.:
    21.53
    100+ szt.:
    20.48
  5. IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 349 W 25.63
    Do sklepu »

    IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 349 W

    Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to ...
    • Zgodny z RoHS
    Sklep:
    RS Components
    Producent:
    onsemi
    MPN:
    FGH40N60SMD
    Dodany:
    Zmiana ceny:
    -15%
    10+ szt.:
    22.14
  6. STMicroelectronics IGBT STGB10NB37LZT4 Ic 10 A Uce 375 V TO-263 kanał: Typ N 125 W 3-pinowy Powierzchnia 25.90 x2
    Do sklepu »

    STMicroelectronics IGBT STGB10NB37LZT4 Ic 10 A Uce 375 V TO-263 kanał: Typ N 125 W 3-pinowy Powierzchnia

    Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to ...
    • Zgodny z RoHS
    Sklep:
    RS Components
    Producent:
    STMicroelectronics
    MPN:
    STGB10NB37LZT4
    Dodany:
    Zmiana ceny:
    +102%
    Min. zamówienie:
    2 szt.
    10+ szt.:
    24.61
    20+ szt.:
    22.14
    50+ szt.:
    19.96
    100+ szt.:
    18.96
  7. IGBT Ic 120 A Uce 650 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 469 W 26.35 x30
    Do sklepu »

    IGBT Ic 120 A Uce 650 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 469 W

    Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to ...
    • Zgodny z RoHS
    Sklep:
    RS Components
    Producent:
    STMicroelectronics
    MPN:
    STGW80H65DFB
    Dodany:
    Zmiana ceny:
    +4.73%
    Min. zamówienie:
    30 szt.
    60+ szt.:
    25.67
    150+ szt.:
    25.04
  8. IGBT Ic 120 A Uce 650 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 469 W 26.50 x30
    Do sklepu »

    IGBT Ic 120 A Uce 650 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 469 W

    Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to ...
    • Zgodny z RoHS
    Sklep:
    RS Components
    Producent:
    STMicroelectronics
    MPN:
    STGWT80H65DFB
    Dodany:
    Zmiana ceny:
    +4.7%
    Min. zamówienie:
    30 szt.
    60+ szt.:
    22.56
    150+ szt.:
    22.00
  9. IGBT Ic 60 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 200 W 26.51 x2
    Do sklepu »

    IGBT Ic 60 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 200 W

    Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to ...
    • Zgodny z RoHS
    Sklep:
    RS Components
    Producent:
    STMicroelectronics
    MPN:
    STGW30NC60WD
    Dodany:
    Zmiana ceny:
    +2.24%
    Min. zamówienie:
    2 szt.
    10+ szt.:
    25.22
    20+ szt.:
    22.69
    50+ szt.:
    20.40
    100+ szt.:
    19.37
  10. IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 290 W 26.52
    Do sklepu »

    IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 290 W

    Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to ...
    • Zgodny z RoHS
    Sklep:
    RS Components
    Producent:
    onsemi
    MPN:
    FGH40N60SFDTU
    Dodany:
    Zmiana ceny:
    -4.57%
    10+ szt.:
    22.87
  11. STMicroelectronics IGBT STGW60H65DFB Ic 80 A Uce 650 V TO-247 kanał: Typ N 375 W 3-pinowy Otwór przelotowy 27.23
    Do sklepu »

    STMicroelectronics IGBT STGW60H65DFB Ic 80 A Uce 650 V TO-247 kanał: Typ N 375 W 3-pinowy Otwór przelotowy

    Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to ...
    • Zgodny z RoHS
    Sklep:
    RS Components
    Producent:
    STMicroelectronics
    MPN:
    STGW60H65DFB
    Dodany:
    Zmiana ceny:
    +1%
    5+ szt.:
    25.85
    10+ szt.:
    23.25
    25+ szt.:
    20.98
    50+ szt.:
    19.88
  12. onsemi IGBT FGAF40N60SMD Ic 80 A Uce 600 V TO-3PF kanał: Typ N 115 W 3-pinowy Otwór przelotowy 27.90 x2
    Do sklepu »

    onsemi IGBT FGAF40N60SMD Ic 80 A Uce 600 V TO-3PF kanał: Typ N 115 W 3-pinowy Otwór przelotowy

    Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to ...
    • Zgodny z RoHS
    Sklep:
    RS Components
    Producent:
    onsemi
    MPN:
    FGAF40N60SMD
    Dodany:
    Zmiana ceny:
    +11%
    Min. zamówienie:
    2 szt.
    20+ szt.:
    24.05
  13. onsemi IGBT FGA40N65SMD Ic 40 A Uce 650 V TO-3PN kanał: Typ N 349 W 3-pinowy Otwór przelotowy 28.01 x2
    Do sklepu »

    onsemi IGBT FGA40N65SMD Ic 40 A Uce 650 V TO-3PN kanał: Typ N 349 W 3-pinowy Otwór przelotowy

    Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to ...
    • Zgodny z RoHS
    Sklep:
    RS Components
    Producent:
    onsemi
    MPN:
    FGA40N65SMD
    Dodany:
    Zmiana ceny:
    +16%
    Min. zamówienie:
    2 szt.
    20+ szt.:
    24.13
  14. onsemi IGBT Ic 35 A Uce 1200 V TO-263 kanał: Typ N 298 W 3-pinowy Powierzchnia 28.05 x800
    Do sklepu »

    onsemi IGBT Ic 35 A Uce 1200 V TO-263 kanał: Typ N 298 W 3-pinowy Powierzchnia

    Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to ...
    • Zgodny z RoHS
    Sklep:
    RS Components
    Producent:
    onsemi
    MPN:
    HGT1S10N120BNST
    Dodany:
    Zmiana ceny:
    -2.23%
    Min. zamówienie:
    800 szt.
  15. onsemi IGBT Ic 40 A Uce 1200 V TO-247 kanał: Typ N 555 W 3-pinowy Otwór przelotowy 28.12 x30
    Do sklepu »

    onsemi IGBT Ic 40 A Uce 1200 V TO-247 kanał: Typ N 555 W 3-pinowy Otwór przelotowy

    Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to ...
    • Zgodny z RoHS
    Sklep:
    RS Components
    Producent:
    onsemi
    MPN:
    FGH40T120SMD
    Dodany:
    Zmiana ceny:
    -20%
    Min. zamówienie:
    30 szt.
    150+ szt.:
    24.38
    300+ szt.:
    23.31
  16. IGBT Ic 80 A Uce 1200 V D2PAK (TO-263) Pojedynczy kanał: N 298 W 28.85 x2
    Do sklepu »

    IGBT Ic 80 A Uce 1200 V D2PAK (TO-263) Pojedynczy kanał: N 298 W

    Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to ...
    • Zgodny z RoHS
    Sklep:
    RS Components
    Producent:
    onsemi
    MPN:
    HGT1S10N120BNST
    Obudowa:
    TO-263
    Dodany:
    Zmiana ceny:
    -8%
    Min. zamówienie:
    2 szt.
    20+ szt.:
    24.87
    200+ szt.:
    21.55