elecena.pl

Szukaj produktów » Parametry dla fdd8882 (tranzystor FET-N): 2.13
Opis:30V N-Channel PowerTrench® MOSFET
Napięcie:30V
Rezystancja przewodzenia:11.5Ω
Napięcie załączenia:1.2V
Obudowa:TO-252
Więcej:https://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDD8882.html

Zamienniki dla fdd8882:

  1. 4.65
    Zamienniki »

    fdb8880

    Napięcie:
    30V
    Rezystancja przewodzenia:
    11.6Ω
    Napięcie załączenia:
    1.2V
    Obudowa:
    TO-263
    Podobieństwo:
    99%
  2. 1.86
    Zamienniki »

    fdms8888

    Napięcie:
    30V
    Rezystancja przewodzenia:
    9.5Ω
    Napięcie załączenia:
    1.2V
    Obudowa:
    PQFN
    Podobieństwo:
    83%
  3. 2.69
    Zamienniki »

    fds8878

    Napięcie:
    30V
    Rezystancja przewodzenia:
    14Ω
    Napięcie załączenia:
    1.2V
    Obudowa:
    SO
    Podobieństwo:
    78%
  4. 2.52
    Zamienniki »

    fdms8880

    Napięcie:
    30V
    Rezystancja przewodzenia:
    8.5Ω
    Napięcie załączenia:
    1.2V
    Obudowa:
    PQFN
    Podobieństwo:
    74%
  5. 5.58
    Zamienniki »

    fdp7030bl

    Napięcie:
    30V
    Rezystancja przewodzenia:
    Napięcie załączenia:
    1V
    Obudowa:
    TO-220
    Podobieństwo:
    65%
  6. 4.83
    Zamienniki »

    fdb7030bl

    Napięcie:
    30V
    Rezystancja przewodzenia:
    Napięcie załączenia:
    1V
    Obudowa:
    TO-263
    Podobieństwo:
    65%
  7. 2.23
    Zamienniki »

    fdd8778

    Napięcie:
    25V
    Rezystancja przewodzenia:
    14Ω
    Napięcie załączenia:
    1.2V
    Obudowa:
    TO-252
    Podobieństwo:
    65%
  8. 2.96
    Zamienniki »

    fds6670as

    Napięcie:
    30V
    Rezystancja przewodzenia:
    Napięcie załączenia:
    1V
    Obudowa:
    SO
    Podobieństwo:
    65%
  9. 3.69
    Zamienniki »

    fdd6296

    Napięcie:
    30V
    Rezystancja przewodzenia:
    8.8Ω
    Napięcie załączenia:
    1V
    Obudowa:
    TO-252
    Podobieństwo:
    64%
  10. 4.80
    Zamienniki »

    fdms3660as

    Napięcie:
    30V
    Rezystancja przewodzenia:
    Napięcie załączenia:
    1.1V
    Obudowa:
    PQFN
    Podobieństwo:
    64%
  11. 7.76
    Zamienniki »

    fdms3668s

    Napięcie:
    30V
    Rezystancja przewodzenia:
    Napięcie załączenia:
    1.1V
    Obudowa:
    PQFN
    Podobieństwo:
    64%
  12. 11.10
    Zamienniki »

    fdms3606as

    Napięcie:
    30V
    Rezystancja przewodzenia:
    Napięcie załączenia:
    1.1V
    Obudowa:
    PQFN
    Podobieństwo:
    64%
  13. 4.30
    Zamienniki »

    fdms3686s

    Napięcie:
    30V
    Rezystancja przewodzenia:
    Napięcie załączenia:
    1.1V
    Obudowa:
    PQFN
    Podobieństwo:
    64%
  14. 7.10
    Zamienniki »

    fdd6030l

    Napięcie:
    30V
    Rezystancja przewodzenia:
    14.5Ω
    Napięcie załączenia:
    1V
    Obudowa:
    TO-252
    Podobieństwo:
    62%
  15. 3.44
    Zamienniki »

    fdd8780

    Napięcie:
    25V
    Rezystancja przewodzenia:
    8.5Ω
    Napięcie załączenia:
    1.2V
    Obudowa:
    TO-252
    Podobieństwo:
    62%