ntlgd3502n (15) » Power MOSFET 20V 4.3A 60 mOhm Dual N-Channel WDFN6 » Parametry i zamienniki | elecena.pl

Szukaj produktów » Parametry dla ntlgd3502n (tranzystor FET-N):

Opis:	Power MOSFET 20V 4.3A 60 mOhm Dual N-Channel WDFN6
Napięcie:	20V
Moc:	1.74W
Pojemność bramka-źródło:	250pF
Ładunek bramki:	2.9nC
Więcej:	http://www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do?id=NTLGD3502N

Zamienniki dla ntlgd3502n:

Zamienniki »
ntd3055l170

Napięcie:
60V

Prąd:
9A

Moc:
54W

Pojemność bramka-źródło:
195pF

Ładunek bramki:
3nC

Podobieństwo:
zgodne
1.94
Zamienniki »
fdfm2n111

Napięcie:
20V

Prąd:
4A

Moc:
1.7W

Pojemność bramka-źródło:
273pF

Ładunek bramki:
2.7nC

Podobieństwo:
83%
4.50
Zamienniki »
si7904bdn

Napięcie:
20V

Prąd:
6A

Obudowa:
POWERPAK

Podobieństwo:
70%
2.50
Zamienniki »
2sk212

Napięcie:
20V

Prąd:
0.0006A

Obudowa:
TO-92

Podobieństwo:
70%
6.00
Zamienniki »
bf960

Napięcie:
20V

Prąd:
0.03A

Częstotliwość:
900 MHz

Podobieństwo:
70%
3.00
Zamienniki »
si6968bedq

Napięcie:
20V

Prąd:
5.2A

Obudowa:
8-TSSOP

Podobieństwo:
70%
1.90
Zamienniki »
bf996

Napięcie:
20V

Prąd:
0.03A

Częstotliwość:
80 MHz

Obudowa:
SOT143

Podobieństwo:
70%
5.86
Zamienniki »
bf966

Napięcie:
20V

Prąd:
0.03A

Podobieństwo:
70%
3.54
Zamienniki »
si6926adq

Napięcie:
20V

Prąd:
4.1A

Obudowa:
8-TSSOP

Podobieństwo:
70%
1.67
Zamienniki »
si1902dl

Napięcie:
20V

Prąd:
0.66A

Obudowa:
6-TSSOP

Podobieństwo:
70%
1.73
Zamienniki »
si2312bds

Napięcie:
20V

Prąd:
3.9A

Obudowa:
TO-236-3

Podobieństwo:
70%
6.50
Zamienniki »
irf3711

Napięcie:
20V

Prąd:
110A

Obudowa:
TO-220

Podobieństwo:
70%
3.15
Zamienniki »
si3900dv

Napięcie:
20V

Prąd:
2A

Obudowa:
SOT-23-6

Podobieństwo:
70%
5.56
Zamienniki »
si5908dc

Napięcie:
20V

Prąd:
4.4A

Obudowa:
CHIPFET

Podobieństwo:
70%
2.00
Zamienniki »
bf992

Napięcie:
20V

Prąd:
0.04A

Częstotliwość:
200 MHz

Podobieństwo:
70%