elecena.pl

Moduł zasilania SiC 2 Typ N-kanałowy 300 A 1200 V Montaż powierzchniowy Rozszerzenie 4-pinowy 1875 W ROHM

RS Components

Moduł składa się z urządzeń DMOS Power FET z węglikiem krzemu (SiC) z diodą bariery Schottky'ego (SBD) na drenażu i źródle.

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu