SCT30N120 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 80 mOhm typ., 45 A in an HiP247 package
STMicroelectronics
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- SCT30N120
- Producent:
- STMicroelectronics
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- +14% (27.11.2025)
- Poprzednia cena:
- 17.18 USD
| Ilość [ x szt]: | 10+ | 100+ |
|---|---|---|
| Cena USD [za szt]: | 14.19 | 13.07 |
Sugerowane produkty dla sct30n120
This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material allow designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics