STGW25H120DF2 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
STMicroelectronics
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- STGW25H120DF2
- Producent:
- STMicroelectronics
- Obudowa:
- TO-247
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- -3% (31.10.2025)
- Poprzednia cena:
- 4.67 USD
| Ilość [ x szt]: | 10+ |
|---|---|
| Cena USD [za szt]: | 2.57 |
Sugerowane produkty dla stgw25h120df2
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the H series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high-switching frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics