STPSC40065CW 650 V power Schottky silicon-carbide diode
STMicroelectronics
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- STPSC40065CW
- Producent:
- STMicroelectronics
- Obudowa:
- TO-247
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- +0.72% (19.09.2025)
- Poprzednia cena:
- 11.16 USD
| Ilość [ x szt]: | 10+ | 100+ |
|---|---|---|
| Cena USD [za szt]: | 6.78 | 5.45 |
Sugerowane produkty dla stpsc40065
The SiC diode is a high voltage power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
Used as a freewheeling or output rectification diode, this rectifier will enhance the performance and form factor of the targeted power supply or inverter.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics