STGYA120M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
STMicroelectronics
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- STGYA120M65DF2
- Producent:
- STMicroelectronics
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- +8% (07.12.2025)
- Poprzednia cena:
- 8.36 USD
| Ilość [ x szt]: | 10+ | 100+ |
|---|---|---|
| Cena USD [za szt]: | 5.47 | 4.54 |
Sugerowane produkty dla stgya120m65df2
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics