SCTWA90N65G2V Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 long leads package
STMicroelectronics
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- SCTWA90N65G2V
- Producent:
- STMicroelectronics
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- -2.3% (17.10.2025)
- Poprzednia cena:
- 28.32 USD
| Ilość [ x szt]: | 10+ | 100+ |
|---|---|---|
| Cena USD [za szt]: | 17.92 | 17.25 |
Sugerowane produkty dla sctwa90n65g2v
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics