Tranzystor N MOSFET unipolarny 60V/0.115A SOT-23

Specyfikacja:;;Typ kanału: N;Maksymalny ciągły prąd drenu: 115 mA;Maksymalne napięcie dren-źródło: 60 V;Typ opakowania: SOT-23;Typ montażu: Montaż powierzchniowy;Liczba styków: 3;Maksymalna rezystancja dren-źródło7,5 oma;Tryb kanałowy: Rozszerzenie;Minimalne napięcie progowe VGS: 1V;Maksymalna strata mocy: 200 mW;Konfiguracja tranzystora: Pojedynczy;Maksymalne napięcie bramka-źródło: -20 V, +20 V;Maksymalna temperatura robocza: +150°C;Minimalna temperatura robocza: -55°C;Liczba elementów na układ: 1;Materiał tranzystora: Si;Szerokość: 1.3mm;Długość: 2.92mm;Wysokość: 0.93mm