MOSFET Typ N-kanałowy 52 A TO-247 75 V N 3-pinowy Powierzchnia 81 W Infineon 3 mΩ IMW120R020M1HXKSA1

Infineon CoolSiC 1200 V, 20 mΩ SiC MOSFET w pakiecie TO247-3 bazującym na stanie procesu półprzewodnikowego rowu ART zoptymalizowanego pod kątem połączenia wydajności z niezawodnością, obejmuje to najniższe poziomy naładowania bramki i pojemności urządzeń widoczne w przełącznikach 1200 V, Brak strat podczas powrotu do stanu normalnego wewnętrznej diody korpusu odpornej na komutację, niezależne od temperatury straty przy przełączaniu i niepowodujących progów charakterystyki włączenia oraz tranzystory CoolSiC MOSFET są idealne do twardych i dźwiękowych topologii przełączania, takich jak obwody korekcji współczynnika mocy (PFC), topologie dwukierunkowe i przetwornice DC-DC lub przetwornice DC-AC.