STN1HNK60

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 0,4A; 3,3W; SOT223

* Producent:STMicroelectronics * Montaż:SMD * Rodzaj opakowania:taśma * Obudowa:SOT223 * Typ tranzystora:N-MOSFET * Polaryzacja:unipolarny * Napięcie dren-źródło:600V * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±30V * Moc rozpraszana:3,3W * Prąd drenu:0,4A * Rezystancja w stanie przewodzenia:8500m? * Technologia:SuperMesh™ * Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate * Cena jednostkowa:Nie * Rezystancja w stanie przewodzenia:8,5? * Wersja:ESD * Rodzaj opakowania:rolka