FDN335N

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 1,7A; 500mW; SuperSOT-3

* Producent:ONSEMI * Montaż:SMD * Rodzaj opakowania:taśma * Typ tranzystora:N-MOSFET * Polaryzacja:unipolarny * Rezystancja w stanie przewodzenia:120m? * Napięcie dren-źródło:20V * Prąd drenu:1,7A * Moc rozpraszana:500mW * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±8V * Obudowa:SuperSOT-3 * Ładunek bramki:5nC * Technologia:PowerTrench® * Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level * Cena jednostkowa:Nie * Rezystancja w stanie przewodzenia:0,12? * Moc rozpraszana:0,5W * Rodzaj opakowania:rolka