STG200G65FD8AG Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 200 A, high-efficiency M series IGBT die in D8 packing
STMicroelectronics
RSS
8.27 USD33.60 PLN
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- STG200G65FD8AG
- Producent:
- STMicroelectronics
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- +9% (09.07.2025)
- Poprzednia cena:
- 7.60 USD
| Ilość [ x szt]: | 168+ |
|---|---|
| Cena USD [za szt]: | 3.96 |
Sugerowane produkty dla stg200g65fd8ag
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics