GWA75H65DRFB2AG Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package
STMicroelectronics
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- GWA75H65DRFB2AG
- Producent:
- STMicroelectronics
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- -2.91% (09.07.2025)
- Poprzednia cena:
- 5.84 USD
Sugerowane produkty dla gwa75h65drfb2ag
The newest IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performances are optimized both in conduction and switching energies for hard switching application. In this configuration, it has been co-packed with a high ruggedness rectifier diode targeting heavy duty and high reliability automotive applications.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics