55SISS61DN-T1-GE3
SŁAWMIR Electronics
RSS
10.33
8.40 + VAT
- Kod:
- 3843295
- Producent:
- VISHAY
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- -0.48% (21.10.2026)
- Poprzednia cena:
- 10.38
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -89,6A; 42,1W
* Producent:VISHAY * Montaż:SMD * Obudowa:PowerPAK® 1212-8 * Napięcie dren-źródło:-20V * Prąd drenu:-89,6A * Rezystancja w stanie przewodzenia:9,8m? * Typ tranzystora:P-MOSFET * Moc rozpraszana:42,1W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Ładunek bramki:231nC * Technologia:TrenchFET® * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±8V * Prąd drenu w impulsie:-200A
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu SŁAWMIR Electronics