55SIRA10DP-T1-GE3
SŁAWMIR Electronics
- Kod:
- 3843285
- Producent:
- VISHAY
- Obudowa:
- SO8
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- +0.17% (02.12.2025)
- Poprzednia cena:
- 6.05
Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 60A; Idm: 140A
* Producent:VISHAY * Montaż:SMD * Obudowa:PowerPAK® SO8 * Napięcie dren-źródło:30V * Prąd drenu:60A * Rezystancja w stanie przewodzenia:5m? * Typ tranzystora:N-MOSFET * Moc rozpraszana:26W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Ładunek bramki:51nC * Technologia:TrenchFET® * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:-16...20V * Prąd drenu w impulsie:140A
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu SŁAWMIR Electronics