55IXFN110N85X
SŁAWMIR Electronics
- Kod:
- 3832900
- Producent:
- IXYS
- Obudowa:
- SOT-227B
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- +0.19% (02.12.2025)
- Poprzednia cena:
- 569.13
Moduł; pojedynczy tranzystor; 850V; 110A; SOT227B; Ugs: ±40V; 1170W
* Producent:IXYS * Obudowa:SOT227B * Polaryzacja:unipolarny * Rezystancja w stanie przewodzenia:33m? * Napięcie dren-źródło:850V * Montaż mechaniczny:przykręcany * Prąd drenu:110A * Rodzaj kanału:wzbogacany * Typ modułu:tranzystorowy MOSFET * Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor * Montaż elektryczny:przykręcany * Napięcie bramka-źródło:±40V * Technologia:HiPerFET™ * Moc rozpraszana:1170W * Ładunek bramki:425nC * Czas gotowości:205ns * Prąd drenu w impulsie:220A * #Akcje #promocyjne:aac202202 * Cena jednostkowa:Nie * #Akcje #promocyjne:ixys202106
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu SŁAWMIR Electronics