55IXFN220N20X3

Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 160A; SOT227B; Ugs: ±30V; 390W

* Producent:IXYS * Obudowa:SOT227B * Polaryzacja:unipolarny * Napięcie dren-źródło:200V * Montaż mechaniczny:przykręcany * Prąd drenu:160A * Rodzaj kanału:wzbogacany * Typ modułu:tranzystorowy MOSFET * Napięcie bramka-źródło:±30V * Rezystancja w stanie przewodzenia:6,2m? * Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor * Montaż elektryczny:przykręcany * Technologia:HiPerFET™ * Prąd drenu w impulsie:500A * Ładunek bramki:204nC * Moc rozpraszana:390W * Czas gotowości:128ns * #Akcje #promocyjne:aac202202 * Cena jednostkowa:Nie * #Akcje #promocyjne:ixys202106